半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。这是一个关于浓度 载流子 ...
半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，...[60%]
半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。这是一个关于浓度 载流子 ...
半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，...[59%]
半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。这是一个关于浓度 载流子 ...
在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()[54%]
在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
本征半导体中两种载流子的数量（）。[47%]
本征半导体中两种载流子的数量（）。
...是（)。 （A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电 而杂质半导...[46%]
下述说法中，正确的是()。(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以...
...是 （ ） (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半[45%]
7. 下述说法中，正确的是 （ ） (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n 型或 p 型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电
...是 ( )[ 5 分 ]A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半[45%]
下述说法中,正确的是 ( )[ 5 分 ]A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所
下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。[45%]
下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A．温度提高导电能力提高B．有两种载流子C．电阻率很小，接近金属导体D．参杂质后导电能力提高
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半...[45%]
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。A.6.7×108/cm3B.1.1×109/cm3C.1.34×
